借助高耐性ESD抑制器采取车载Ethernet的ESD对策
2023/1/27
随着汽车驾驶辅助技术的发展和能够与车外通信的电子设备的普及,车载电子控制单元(车载ECU)的安装数量有望增加,车载网络的通信负荷也呈现增大的趋势。车载Ethernet作为一种具有高速、大容量的车载网络通信前景光明,它与CAN相比,数据传输速度更快,并且可基于IP(Internet Protocol因特网协议)进行数据交换,因而具有易采用民用Ethernet技术,安全性高等优点。本文将介绍针对车载Ethernet的ESD对策效果显著的高耐性ESD抑制器的评估结果。
Open Alliance(车载Ethernet标准化组织)ESD对策电路
作为车载Ethernet标准化组织的Open Alliance,如下图所示规定了ESD保护元件的配置(图1)。ESD对策零部件的配置,可以选择配置在连接器正下方的ESD_1、或配置在共模扼流圈(下称CMC)与Ethernet PHY(物理层IC)之间的ESD_2的任何一种构成。在以前我们介绍的消息(车载LAN(Ethernet)的ESD对策)中,主流的电路构成是在ESD_2中配置一个TVS二极管,而现在主流的电路构成则是在靠近ESD输入部的ESD_1中配置一个ESD保护元件。但是,有关配置在ESD_1中的ESD保护元件,其要求规格和试验项目已由Open Alliance做出规定。

Open Alliance规定的ESD保护元件规格与要求试验
Ethernet通信中,ESD-1的触发电压(工作开始电压)为100V以上,相比之下,在CAN通信的ESD对策中使用的ESD保护元件(层叠压敏电阻和TVS二极管)的工作开始电压则为27V以上,要求对应高触发电压。本公司生产的高耐性ESD抑制器满足下表所示的由Open Alliance规定的ESD保护元件的要求规格。
下一节中,我们将介绍表2所示的ESD保护元件的要求试验中高耐性ESD抑制器的评估结果。
项目 | 要求规格 | 高耐性ESD抑制器 |
---|---|---|
极性 | 无极性(双向) | 无极性(双向) |
容许电路电压(Vdc max.) | DC 24V以上 | DC 50V max. |
ESD触发电压 | 100V以上 | 400V以上(typ.) |
ESD耐性 | 150pF/330Ω ±15kV | 1150pF/330Ω ±25kV (typ.) |
ESD外加次数 | 1000 times or more (IEC level 4) | 1000 times or more (IEC level 4) |
No. | 试验项目 | 试验目的 | 试验概要 |
---|---|---|---|
1 | Mixed Mode S-parameter measurement |
差动信号的品质评估 | S参数测量(Sdd11, Sdd21, Ssd21) |
2 | Damage from ESD | ESD外加时的信号品质评估 | 测量ESD外加前后的S参数变动 |
3 | ESD discharge current measurement | 使用ESD保护元件时流过PHY的ESD电流评估 | 对在包含ESD保护元件、终端电路、CMC的电路中流过PHY的电流进行模拟评估 |
4 | Test of unwanted Clamping Effect at RF immunity Tests |
RF功率外加时的抗干扰性评估 | 对标准功率外加高功率时的S参数变动进行评估 |
Open Alliance 要求试验中高耐性ESD抑制器的评估结果
1. Mixed Mode S-parameter measurement
作为信号品质的评估,测量下述3个S参数。
①Sdd11(返回损耗):输入的差分信号在输入端的反射量
②Sdd21(插入损耗):输入的差分信号在输出端的损耗量
③Ssd21(信号模式转换):输入的差分信号在输出端被转换成共模信号的量
有关Sdd11和Sdd21,已知ESD保护元件的静电电容的绝对值、成对使用的静电电容之差值增大时Ssd21(信号模式转换)变差。
静电电容:0.1pF,容差:+0.1/-0.08pF,静电电容的绝对值小,窄容差的高耐性ESD抑制器,其信号品质优异,满足要求规格。



2. Damage from ESD
<评估ESD外加引起的S参数变动的步骤>
(1)测量初始值(ESD外加前)的S参数(Sdd11,Sdd21,Scd21)
(2)IEC61000-4-2 接触放电±8kV 各外加20次 → 测量S参数
(3)IEC61000-4-2 接触放电±15kV 各外加20次 → 测量S参数
<判定基准>
Sdd11,Scd21(4个端口上的信号模式转换),ESD外加前后的变动为±1dB以内
Sdd21,ESD外加前后的变动为±0.1dB以内
譬如,在ESD耐性低的ESD保护元件中,S参数因绝缘劣化而大幅变化,无法再满足1项的Mixed mode S-parameter的标准。高耐性ESD抑制器具有25kV的ESD耐性,因而ESD外加引起的S参数变动符合上述基准。



3. ESD discharge current measurement
关于S参数,仅通过ESD保护元件进行评估,而关于此试验,则如下图所示预想实际的电路进行评估。将PHY工作时的阻抗模拟为CMC后级的2Ω电阻,根据示波器的电压波形来评估流向PHY的电流。
Open Alliance的标准书中按电流值分类为ClassIII、ClassII、ClassI,这意味着ClassIII是最佳的ESD保护元件。


图6中示出在高耐性ESD抑制器与100BASE-T1用的CMC的组合时外加+3kV到+15kV而得的电流波形。虽然波峰部流过5A左右的电流,这是ClassIII的Limit值,但是之后的电流值几乎为0A,抑制了流向PHY的泄漏电流。即使升高ESD外加电压,电流波形也几乎没有什么变化,高耐性ESD抑制器抑制了流向PHY的泄漏电流,相当于3个Class中最优异的ClassIII。





4. Unwanted Clamping Effect at RF immunity Test
此试验中,同样不是通过ESD保护元件单独进行电路评估,而是并用ESD保护元件和CMC进行电路评估(图7)。这是对ESD保护元件在RF功率外加时是否抑制噪声进行评估,因而需要将对作为基准的RF功率外加时的CMR(Common Mode Rejection,共模抑制)外加高于基准值的高功率时的CMR的变动抑制在±1dB以内。另外,CMR通过下式来表示。
CMR = P_in - P_out

图8中示出RF功率外加时的抗干扰性的评估结果。即使将39dBm的ClassIII的RF功率外加到20dBm的标准值上,CMR也没有什么变化,可见对于RF功率外加具有较高的抗干扰性。

小结
有关今后将由Open Alliance(一个作为车载网络通信具有前景的车载Ethernet的标准化组织)规定的ESD保护元件的要求规格和各个试验项目,我们在这里介绍了由本公司开发而成的高耐性ESD抑制器中各个试验项目的评估结果。高耐性ESD抑制器在第三方认证机关(FTZ)的评估中符合100BASE-T1的要求规格,为采取效果更显著的车载Ethernet的ESD对策做出贡献。