APEC 2019 GaN/SiC电源器件相关产品 展出内容介绍

APEC 2019 GaN/SiC电源器件相关产品展出内容介绍

展期结束：此次到松下展位观展的人员众多，非常感谢。

■ 展期：2019年3月18日(周一)至20日(周三)
■ 会场：ANAHEIM CONVENTION CENTER
　　　（加利福尼亚州・阿纳海姆）
■ APEC 2019 官方网站
■ 松下电器展位展位号913

在松下展位内，根据具有超越现有材料Si（硅酮）的物理极限的低损耗特性的GaN（氮化镓）／SiC（碳化硅）的元件技术，展出器件单品、解决方案、应用事例，提出有助于电气设备的小型化、节能化的产品方案。

「APEC 2019」松下电器展室展示内容介绍

主要展出内容

GaN/SiC电源器件相关产品	内容介绍
X-GaN™ 电源器件、X-GaN™ 解决方案	松下的耐压600V的GaN电源器件“X-GaN™”采用特有的器件结构，实现常态关闭和850V以下无电流崩塌，为电源的小型化和高效率化做出贡献。此次还展出能够有效运用此高X-GaN性能的、面向工业的辅助系统、应用演示及评估环境。
SiC-DioMOS器件、安装有SiC的模块	松下的SiC-DioMOS借助松下特有的DioMOS（Diode-integrated　MOSFET）结构，通过向晶体管附加电源和逆变器所需的续流二极管的功能，能够实现安装有SiC的模块小型化。在本展示会上还将展出内置有SiC-DioMOS的模块。
GaN双向开关（参考展出）	通过采用松下特有的器件结构，提供以1个元件来实现电流的双向通电、单向通电、阻断电流的双向开关。同时展出小型DBM（Drive-by-Microwave）绝缘栅极驱动器，它能够驱动此GaN双向开关。该产品能够减少元件数并能大幅度降低导通损耗，为电力转换电路的小型化、高效率化做出贡献。安装有GaN双向开关的电路板

■ 日期时间：3月19日（周二）15：00～15：30
■ 地点：ANAHEIM CONVENTION CENTER Session Room: 303AB
■ 标题：“X-GaN Power Transistor Breakdown Mechanisms.”